特許

J-GLOBAL ID：201103063550101594

成膜装置

発明者： 山本 薫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-059964
公開番号（公開出願番号）：特開2011-190519
出願日： 2010年03月16日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：

【課題】膜厚の面内均一性を向上させると共に、反応効率を向上させて成膜速度も高くすることができる成膜装置を提供する。【解決手段】有機金属化合物の原料ガスを用いて被処理体Wの表面に薄膜を形成する成膜装置において、真空排気が可能になされた処理容器22と、加熱ヒータ34が設けらた載置台28と、載置台に対向させて設けられており、原料ガスの分解を促進させる分解促進ガスを導入させるために載置台上の被処理体に対向するように配置された複数の分解促進ガス導入口80Aと原料ガスを導入させるために複数の分解促進ガス導入口が形成された領域を囲むようにして配置された原料ガス導入口80Bとを有するガス導入手段80とを備える。これにより膜厚の面内均一性を向上させると共に、反応効率を向上させて成膜速度も高くする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

有機金属化合物の原料よりなる原料ガスを用いて被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置において、 真空排気が可能になされた処理容器と、 加熱ヒータが設けられると共に前記被処理体を載置する載置台と、 前記載置台に対向させて設けられており、前記原料ガスの分解を促進させる分解促進ガスを導入させるために前記載置台上の前記被処理体に対向するように配置された複数の分解促進ガス導入口と原料ガスを導入させるために前記複数の分解促進ガス導入口が形成された領域を囲むようにして配置された原料ガス導入口とを有するガス導入手段と、 を備えたことを特徴とする成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

C23C16/455 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

Fターム (22件)：

4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20