特許
J-GLOBAL ID：201103063612960327
薄膜太陽電池およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐野 静夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-345017
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151719
特許番号：特許第4674956号
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板上に形成された少なくとも1つの光電変換ユニットを含み、前記光電変換ユニットは、p、i、n層、またはn、i、p層の順に堆積した部分を含み、前記i層上のpまたはn層が結晶成分を含むシリコン系薄膜である太陽電池において、
前記i層上のpまたはn層の結晶化率が、i層から遠い側よりi層に近い側の方が大きいことを特徴とする薄膜太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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