気相成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041125
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243705
特許番号：特許第3125779号
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体ウエハの気相成長を行う反応部に待機系と成長系との2つの排気ラインを有し、反応部の圧力をモニタする手段と、待機系と成長系との排気ラインの切替え手段と、排気ライン内における排出部の圧力をモニタする手段とを操作して待機時と成膜時との排気ラインの切替えを行う気相成長方法であって、成膜および待機前後の排気ライン切替えの際、排気ラインの排出部圧力と反応部圧力とを比較し、反応部の圧力変動を抑えるように制御することを特徴とする気相成長方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

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