特許

J-GLOBAL ID：201103064411715371

圧電磁器および圧電素子

発明者： 中井 泰広 ,  中久保 仁
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-332653
公開番号（公開出願番号）：特開2002-137966
特許番号：特許第4467168号
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 NaNbO3型結晶粒子からなり、該NaNbO3型結晶粒子のAサイトを占めるNaの一部がMnで置換され、Bサイトを占めるNbの一部がTiで置換されている圧電磁器であって、金属元素として少なくともNa、Nb、MnおよびTiを含有し、これらの金属元素のモル比による組成式を (1-x)NaNbO3+xMnTiO3 と表した時、xが0.014≦x≦0.08の条件を満足することを特徴とする圧電磁器。

IPC (3件)：

C04B 35/00 ( 200 6.01) ,  H01L 41/09 ( 200 6.01) ,  H01L 41/187 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C04B 35/00 J ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 圧電磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-248728   出願人：株式会社村田製作所
• 圧電磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-035713   出願人：株式会社村田製作所
• 特公昭46-038239
  
• 特開昭56-120180