特許

J-GLOBAL ID：201103064605531182

薄膜形成法

発明者： 國分 泰雄 ,  田村 修一 ,  馬場 俊彦
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 蛭川 昌信
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-245427
公開番号（公開出願番号）：特開平3-107455
特許番号：特許第2787956号
出願日： 1989年09月21日
公開日（公表日）： 1991年05月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ターゲットのみならず基板にも高周波電力を投入するように構成したバイアススパッタ法を用いて、基板に投入する高周波電力を調整することによって、基板に対してほぼ垂直な面のみへ選択的に薄膜を形成するようにしたことを特徴とする薄膜形成法。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/40

FI (3件)：

C23C 14/34 S ,  C23C 14/34 H ,  C23C 14/40