特許
J-GLOBAL ID：201103064633448045
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-174539
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358404
特許番号：特許第4613395号
出願日： 2000年06月09日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】基板上に窒化物半導体からなる層が複数積層されて、活性層をp型クラッド層とn型クラッド層とで挟み込む構造を有すると共に、ストライプ形状の導波路領域を有する半導体レーザ素子であって、
前記ストライプ形状の導波路領域が、ストライプ形状の第1の凸部と、該第1の凸部の一方の端部に設けられた第1の凸部よりも幅広な第2の凸部と、を有すると共に、共振器反射面が、前記第1の凸部の他方の端部と、第2の凸部側面のうち第1の凸部に離間した外部側面と、に設けられ、前記第1の凸部の他方の端部をレーザの出射側とすることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/22 ( 200 6.01)
, H01S 5/343 ( 200 6.01)
