特許

J-GLOBAL ID：201103064700884831

半導体装置の製造方法

発明者： 篠木 裕之 ,  徳重 利洋智 ,  高井 信行
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-291471
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110813
特許番号：特許第3548061号
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】表面に第1の絶縁層を有するウエハのダイシング領域に当該ウエハをハーフカットする溝を形成する工程と、前記溝はその側面に凹凸部を有し、当該凹凸部の形成された溝に第2の絶縁層を形成する工程と、前記第2の絶縁層で前記溝の側面を被覆した状態で、前記ウエハのフルカットを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 21/88 Z ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/92 604 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-046301   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社