特許
J-GLOBAL ID:201103064958794977
Ni粉末の製造装置およびNi粉末の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
末成 幹生
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-162263
公開番号(公開出願番号):特開2000-345215
特許番号:特許第4040209号
出願日: 1999年06月09日
公開日(公表日): 2000年12月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】塩化ニッケルガスに還元ガスを接触させて気相化学反応を起こさせることによりNi粉末を生成させるNi粉末の製造装置であって、
塩化ニッケルガスを発生させる塩化ニッケルガス発生装置と、
この塩化ニッケルガス発生装置に接続され、該装置で発生する塩化ニッケルガスが導入されるマニフォールドと、
このマニフォールドに接続され、マニフォールドから塩化ニッケルガスが供給される複数の還元炉とを具備することを特徴とするNi粉末の製造装置。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許: