Cu-Ga合金材、スパッタリングターゲット、及びCu-Ga合金材の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：平田忠雄 , 角田賢二 , 岩永勇二 , 中村恵子 , 遠藤和光 , 野見山孝 , 今智司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-115198
公開番号（公開出願番号）：特開2011-241452
出願日： 2010年05月19日
公開日（公表日）： 2011年12月01日
要約：

【課題】偏析相が少ないCu-Ga合金材、スパッタリングターゲット、及びCu-Ga合金材の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のCu-Ga合金材は、平均組成が32重量%以上53重量%以下のガリウム(Ga)と、残部が銅(Cu)及び不可避的不純物とからなるCu-Ga合金材であって、47重量%未満の銅と不可避的空隙とを含む領域の体積のCu-Ga合金材全体の体積に占める割合が2%以下である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

平均組成が32重量%以上53重量%以下のガリウム(Ga)と、残部が銅(Cu)及び不可避的不純物とからなるCu-Ga合金材であって、 47重量%未満の銅を含む領域の体積の前記Cu-Ga合金材全体の体積に占める割合が2%以下であるCu-Ga合金材。

IPC (8件)：

C22C 9/00 , C22C 1/04 , B22F 1/00 , C22C 28/00 , B22F 3/14 , B22F 3/24 , B22F 9/04 , C23C 14/34

FI (9件)：

C22C9/00 , C22C1/04 A , B22F1/00 L , C22C28/00 B , B22F1/00 R , B22F3/14 D , B22F3/24 C , B22F9/04 C , C23C14/34 A

Fターム (20件)：

4K017AA04 , 4K017BA05 , 4K017BA10 , 4K017BB05 , 4K017BB18 , 4K017CA07 , 4K017DA09 , 4K017EA03 , 4K018AA04 , 4K018AA40 , 4K018BA02 , 4K018BA20 , 4K018BB04 , 4K018BB10 , 4K018EA02 , 4K018FA09 , 4K018KA29 , 4K018KA63 , 4K029DC04 , 4K029DC09

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