半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-211950
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083833
特許番号：特許第3583086号
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】集積回路が形成された半導体チップの第1主表面上に、前記集積回路に一端が接続された突起電極を形成する工程と、前記半導体チップを凹部を有する型の第1の部分の当該凹部内に前記第1主表面を上側にして配置する工程と、前記半導体チップの前記第1主表面上に、固化させた状態の熱可塑性樹脂を配置する工程と、前記熱可塑性樹脂を可塑性を示す温度に加熱する工程と、前記型の第1の部分と該第1の部分に対向する型の第2の部分とにより、流動化した熱可塑性樹脂を押圧して前記半導体チップの前記第1主表面に形成されている前記突起電極を熱可塑性樹脂で覆う工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：