特許

J-GLOBAL ID：201103065052798807

半導体装置の製造方法

発明者： 内田 博文
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-087626
公開番号（公開出願番号）：特開平2-266532
特許番号：特許第2532655号
出願日： 1989年04月06日
公開日（公表日）： 1990年10月31日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一導電形の半導体基板上に第1の絶縁膜を成長させる工程と、前記第1の絶縁膜上に導電性の電極を選択的に形成する工程と、表面に第2の絶縁膜を成長させた後、反応性イオンエッチング法によりエッチングして前記第2の絶縁膜を前記電極の側壁に残す工程と、前記電極上に絶縁性の有機レジスト膜のパターンを形成する工程と、イオン注入法により不純物イオンを前記半導体基板に注入して不純物拡散層を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (1件)：

H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-064351
  
• 特開昭56-071972
  
• 特開昭61-181166