特許
J-GLOBAL ID：201103065146903833

プラズマ処理装置

発明者：
大本 豊

大本 豊 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (4件)： ポレール特許業務法人 ,  小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245534
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057145
特許番号：特許第4464544号
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】真空容器と、該真空容器内に設けられ被処理基板を載置する電極と、排気手段と、原料ガス供給手段と、前記電極上の前記被加工試料へ高周波電力を供給する高周波電力印加手段とを備え、 前記真空容器内で、前記原料ガスをプラズマ化し、該プラズマにより前記被処理基板のエッチング処理を行うプラズマ処理装置において、 前記被処理基板を載置する電極に設けられた熱交換部と、 比熱の大きい材料で構成され、前記熱交換部との間で熱輸送パイプを介して熱媒体を輸送する熱だめと、 前記熱交換部に設けられ、前記輸送される熱媒体との熱交換速度を調節する熱輸送速度調節機構と、 前記熱輸送速度調節機構を制御し、前記被処理基板の温度を処理の進行に従って予め設定された温度パターンに制御するコントローラと、 前記被処理基板の温度をモニタする温度モニタと、 前記熱だめに接続され前記熱容量の大きい部材との間で蓄熱を行うサーキュレーターとを備えており、 前記コントローラは、 前記被処理基板のエッチングのインターバルに前記蓄熱を行い、 前記温度モニタの信号に基づいて、前記熱交換部の熱交換速度を調節し、前記被処理基板のエッチング処理の進行に伴い、該被処理基板の温度を前記予め設定された所定の温度パターンに制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (1件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 21/302 101 G
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)

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