特許

J-GLOBAL ID：201103065325470125

半導体装置の製造方法

発明者： 甲斐 徹哉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (18件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-066940
公開番号（公開出願番号）：特開2011-199194
出願日： 2010年03月23日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】良質な特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】制御ゲート電極202の表面に絶縁膜203を形成する工程と、絶縁膜203の表面に電荷蓄積層204を形成する工程と、電荷蓄積層204の表面にトンネル絶縁膜205を形成する工程と、トンネル絶縁膜205の表面にシリコン層206を形成する工程と、シリコン層206を形成した後、熱処理を行ってトンネル絶縁膜205及びシリコン層206の境界面近傍に存在する酸素とシリコンとを反応させる工程と、を備える。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

制御ゲート電極の表面に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜の表面に電荷蓄積層を形成する工程と、 前記電荷蓄積層の表面にトンネル絶縁膜を形成する工程と、 前記トンネル絶縁膜の表面にシリコン層を形成する工程と、 前記シリコン層を形成した後、熱処理を行って前記トンネル絶縁膜及び前記シリコン層の境界面近傍に存在する酸素とシリコンとを反応させる工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (37件)：

5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP50 ,  5F083EP76 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083PR03 ,  5F083PR07 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BA49 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BD12 ,  5F101BD16 ,  5F101BD30 ,  5F101BD34 ,  5F101BF02 ,  5F101BF03 ,  5F101BF09 ,  5F101BH02 ,  5F101BH04 ,  5F101BH05 ,  5F101BH14 ,  5F101BH16