特許
J-GLOBAL ID：201103065333212771
電気的に書き込み可能な不揮発性記憶素子を備えた半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 関根 毅
, 高橋 佳大
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-553247
特許番号：特許第4223283号
出願日： 2001年12月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体上に形成されてビットデ-タを記憶する電気的にプログラミング可能な不揮発性メモリ素子を備えた半導体装置であって、前記不揮発性メモリ素子は、ワイヤフューズと加熱ワイヤとを備え、前記ワイヤフューズは平面上に直線上に形成され、且つ、電流により生じるジュール熱により溶融してプログラムされるメモリ素子を成し、前記加熱ワイヤは前記電流によるジュール熱によりさらなる熱を発生し、該発生した熱をプログラミング中に前記ワイヤフューズに供給し、前記加熱ワイヤは前記ワイヤフューズを囲むヒータとして配され、
前記ワイヤフューズを囲む前記ヒータは前記ワイヤフューズ周囲の一連のオープンループとして形成され、該オープンループは前記ワイヤフューズに平行な方向にツイストされていることを特徴とした電気的にプログラミング可能な不揮発性メモリ素子を備えた半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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