特許

J-GLOBAL ID：201103065508324977

ガラスプレス成形型の製造方法

発明者： 宇野 賢 ,  藤野 拓男 ,  中森 秀樹
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社 ,  プロメトロンテクニクス株式会社
代理人 (1件)： 中村 静男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-020545
公開番号（公開出願番号）：特開平2-199036
特許番号：特許第2572438号
出願日： 1989年01月30日
公開日（公表日）： 1990年08月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】製造されるべきガラスプレス成形型の基盤上にイオンプレーティング法によりi-カーボン膜を被覆する工程を含み、アノード電極と、第1のカソード電極と、前記ガラスプレス成形型基盤を保持する基盤ホルダーとを有し、さらに前記2つの電極を取り囲む形で前記基盤ホルダーの近くまで伸びているリフレクターを有するイオンプレーティング装置を用い、前記アノード電極と前記第1のカソード電極との間に低電圧を印加して、炭素原子数と水素原子数の比率(C/H)が1/3以上である炭化水素のイオンのプラズマを発生させ、更に前記アノード電極に対して前記基盤ホルダーが第2のカソード電極となるように前記基盤ホルダーと前記アノード電極との間に0.5〜2.5KVの電圧を印加するとともに、前記リフレクターを前記第1のカソード電極と同電位として、炭化水素イオンを、温度200〜400°Cに保持された基盤の方向に集中的に加速することにより、前記イオンプレーティング法を実施することを特徴とするガラスプレス成形型の製造方法。

IPC (2件)：

C03B 11/00 ,  C03B 40/00

FI (2件)：

C03B 11/00 M ,  C03B 40/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭59-000679
  
• 特公昭55-048157