特許

J-GLOBAL ID：201103065537897404

単結晶の製造方法および単結晶製造用るつぼ

発明者： 西岡 志行 ,  川瀬 智博
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-102737
公開番号（公開出願番号）：特開2011-251891
出願日： 2011年05月02日
公開日（公表日）： 2011年12月15日
要約：

【課題】双晶欠陥の発生を十分に抑制することが可能な単結晶の製造方法および単結晶製造用るつぼを提供する。【解決手段】単結晶の製造方法は、るつぼ1内に種結晶を配置する工程と、るつぼ1内の種結晶上に原料を配置する工程と、るつぼ1内の原料上に封止剤を配置する工程と、原料を溶融させた後、凝固させることにより、種結晶上に単結晶を成長させる工程とを備えている。るつぼ1の内面には、深さ方向に延在する溝部13が形成されている。そして、種結晶を配置する工程では、種結晶が、単結晶のファセットの発生方向に溝部13が位置するようにるつぼ1内に配置される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

るつぼ内に種結晶を配置する工程と、 前記るつぼ内の前記種結晶上に原料を配置する工程と、 前記るつぼ内の前記原料上に封止剤を配置する工程と、 前記原料を溶融させた後、凝固させることにより、前記種結晶上に単結晶を成長させる工程とを備え、 前記るつぼの内面には、深さ方向に延在する溝部が形成されており、 前記種結晶を配置する工程では、前記種結晶が、前記単結晶のファセットの発生方向に前記溝部が位置するように前記るつぼ内に配置される、単結晶の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 11/00

FI (1件)：

C30B11/00 C

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077BA05 ,  4G077BE35 ,  4G077BE44 ,  4G077BE46 ,  4G077CD02 ,  4G077EG01 ,  4G077MA01