反射防止膜材料およびパターン形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：荒井鐘司 , 河野尚孝 , 嶋崎英一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300650
公開番号（公開出願番号）：特開2002-107938
特許番号：特許第3781960号
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】繰り返し単位として、下記一般式(1)または(2)で表される置換基を有する下記一般式(3),(4),(5),(6),(7),(8)または(9)で表される単位を包含する高分子化合物を含有することを特徴とする、レジスト下地の反射防止膜の形成に用いられる反射防止膜材料。 [ここで、R1は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基、R2〜R10は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状または環状のフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、炭素数6〜20のアリール基または炭素数1〜6のトリアルキルシリル基である。mは0≦m≦10、nは0≦n≦10、oは0≦o≦10、1≦(m+n+o)≦10である。pは2≦p≦10である。] [ここで、Aは一般式(1)または(2)で表される置換基、Bは酸素原子または-NR-基(R,は水素原子、炭素原子数1〜4のアルキル基である)、R11〜R16は水素原子またはメチル基を示し、R17,R18は水素原子または炭素数1〜8の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基である。]

IPC (17件)：

G03F 7/11 ( 200 6.01) , C07F 7/08 ( 200 6.01) , C07F 7/21 ( 200 6.01) , C08F 30/08 ( 200 6.01) , C08K 5/00 ( 200 6.01) , C08L 1/08 ( 200 6.01) , C08L 3/14 ( 200 6.01) , C08L 5/00 ( 200 6.01) , C08L 43/04 ( 200 6.01) , C08L 63/00 ( 200 6.01) , C09K 3/00 ( 200 6.01) , G02B 1/04 ( 200 6.01) , G02B 1/11 ( 200 6.01) , G03F 7/004 ( 200 6.01) , G03F 7/075 ( 200 6.01) , G03F 7/40 ( 200 6.01) , H01L 21/027 ( 200 6.01)

FI (18件)：

G03F 7/11 503 , C07F 7/08 W , C07F 7/21 , C08F 30/08 , C08K 5/00 , C08L 1/08 , C08L 3/14 , C08L 5/00 , C08L 43/04 , C08L 63/00 Z , C09K 3/00 U , G02B 1/04 , G02B 1/10 A , G03F 7/004 506 , G03F 7/075 501 , G03F 7/075 521 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 574

引用特許：

審査官引用 (3件)

ポリシランおよびパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-336655 出願人：株式会社東芝
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-110654 出願人：株式会社東芝
パタ-ントランスファ組成物及びパタ-ントランスファ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-372465 出願人：株式会社東芝

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