特許
J-GLOBAL ID：201103065626730866
連続ラテラル固化を使用する均一で大きな結晶粒を持ち粒界位置が操作された多結晶の薄膜半導体を生成する方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-522579
特許番号：特許第4551045号
出願日： 2000年08月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 非晶質シリコン薄膜を処理して多結晶シリコン薄膜に変換する方法において、
(a)それぞれがほぼ所定のサイズを持つ、一連のエキシマーレーザパルスを生成するステップと、
(b)所定の幅の1つまたは複数のスリットを持つマスクで、前記一連のエキシマーレーザパルスをマスクして、各ビームレットが前記所定のレーザパルスのサイズに対応する長さと、前記所定のスリットの幅とで規定される形状を持つような、前記レーザパルスに対応する1つまたは複数の第1のレーザビームレットを生成するステップと、
(c)シリコン薄膜に、前記1つまたは複数の第1のレーザビームレットを照射し、前記1つまたは複数のレーザビームレットに対応した、前記シリコン薄膜の第1の領域を溶融させるステップと、
(d)第2のレーザパルスに対応する1つまたは複数のレーザビームレットが前記シリコン薄膜の第2の位置に入射するように、前記シリコン薄膜および前記エキシマーレーザパルスの少なくとも1つを、もう1つのものに対して相対的に移動するステップと、
(e)ステップ(d)の後、前記シリコン薄膜の第2の領域を、前記第2のパルスに対応する前記1つまたは複数のレーザビームレットで照射して、前記第2の薄膜位置にある前記第2の領域を溶融させるステップであって、前記第2の領域が前記第1の領域に部分的に重なる、ステップと、を含み、
前記照射された領域の各々は、前記薄膜の厚さ方向に溶融され、ラテラル成長が、前記薄膜の各溶融領域でなされ、前記レーザビームレットの幅は、該レーザビームレットにより照射された前記薄膜の領域において核形成の誘発を防止するために十分狭くすることを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用文献：
審査官引用 (1件)
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Single-Crystal Silicon Films Via a Low-Substrate-Temperature Excimer-Laser Crystallization Method
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