特許
J-GLOBAL ID：201103065718431113
薄膜配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086442
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277523
特許番号：特許第3559468号
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】(1)絶縁基体表面に金属層を被着させる工程と、(2)前記金属層上に第1のフォトレジスト層を被着させるとともにフォトリソグラフィ技術によって断面が逆台形状の開口部を形成する工程と、(3)前記第1のフォトレジスト層の前記開口部内に上部配線層を充填形成する工程と、(4)前記第1のフォトレジスト層を除去する工程と、(5)前記金属層上で、前記上部配線層の下面周囲に第2のフォトレジスト層を被着する工程と、(6)前記第2のフォトレジスト層の非被着領域の前記金属層をエッチング除去し、上面の幅が前記上部配線層の上面の幅以下でありかつ前記上部配線層の下面の幅よりも広い下部配線層を形成する工程と、(7)前記第2のフォトレジスト層を除去する工程と、から成る薄膜配線基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28
, H05K 1/09
, H05K 3/14
, H05K 3/18
H01L 21/88 B
, H01L 21/28 E
, H05K 1/09 C
, H05K 3/14 A
, H05K 3/18 D
, H01L 21/88 R
