特許
J-GLOBAL ID：201103065721254052
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343134
公開番号（公開出願番号）：特開2000-276719
特許番号：特許第3737920号
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 反強磁性層と、この反強磁性層上に形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層上に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層とを有する多層膜と、この多層膜の両側に形成され、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ揃える一対のバイアス層と、このバイアス層上に形成され、固定磁性層と非磁性導電層とフリー磁性層に検出電流を与える一対の電極層とが設けられて成る磁気抵抗効果素子において、
前記多層膜は、再生感度に優れ、実質的に磁気抵抗効果を発揮し得る中央部分の感度領域と、前記感度領域の両側に形成され、再生感度が悪く実質的に磁気抵抗効果を発揮し得ない不感領域とで構成されており、
前記反強磁性層は、その上に形成された前記各層の両側の領域に延びており、この両側領域の反強磁性層上に、金属膜を介して一対のバイアス層及び電極層が積層され、前記電極層は、多層膜の不感領域上に、0μmより大きく0.08μmの範囲内の幅寸法で延ばされており、
前記フリー磁性層上には、Taで形成された保護層と、前記保護層上に形成された絶縁層との積層体が形成され、前記積層体は、トラック幅方向における電極層間にのみ設けられ、
前記積層体のトラック幅方向の両側端面は、下側から上側に向けて、徐々に前記積層体の幅寸法が狭くなる傾斜面で形成され、前記電極層の前端面は、前記傾斜面上に接して形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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