特許

J-GLOBAL ID：201103065969452071

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・デバイスを製造する方法

発明者： ラマ・ディヴァカルニ ,  ラジャラオ・ジャミー ,  ビョオン・ワイ・キム ,  ジャック・エイ・マンデルマン ,  アキラ・スドー ,  ダーク・トベン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (3件)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180648
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026146
特許番号：特許第3730882号
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコン基板に設けられたトレンチを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・デバイスを製造する方法において、 前記トレンチの上部の側壁のうちの底隅部にアンダーカット部を形成するステップと、 前記アンダーカット部を含む前記トレンチの上部の側壁に熱シリコン酸化膜を成長させるステップを含み、 前記アンダーカット部の熱シリコン酸化膜が前記シリコン基板内に延びていることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 27/10 625 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-333159   出願人：株式会社東芝