特許
J-GLOBAL ID:201103066393779912

カーボンナノチューブを含む熱伝導体及びその製造方法、並びに該熱伝導体を含む熱処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 萼 経夫 ,  宮崎 嘉夫 ,  小野塚 薫 ,  田上 明夫 ,  ▲高▼ 昌宏 ,  加藤 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-208050
公開番号(公開出願番号):特開2011-060944
出願日: 2009年09月09日
公開日(公表日): 2011年03月24日
要約:
【課題】カーボンナノチューブを含む熱伝導体によって、被熱処理体に、熱を均一かつ安定して伝導すること。【解決手段】金属触媒8が外周面に被覆された複数の円筒部T1〜T3と、金属触媒が非被覆の円筒部T4を、円板状基板1面に略垂直かつ同心円状かつ入れ子状に配置して熱伝導体用構造体を得た後、この熱伝導体用構造体を、CVD用真空チャンバ内に配置する。そして、CVD法によってカーボンナノチューブ前駆体である炭素材を前記金属触媒8上に形成し、それと同時に熱伝導体用構造体のラジアル方向に電場及び/又は磁場を印加する(参照符号9A、9Bが電極又は磁極を指す)。その結果、多数本のカーボンナノチューブCNTが、円筒部T1〜T3の外周からラジアル方向に向けて配向・成長し、かつ、鉛直方向に形成されたサセプタ10(熱伝導体)を得る。【選択図】図5
請求項(抜粋):
熱伝導体の製造方法であって、 円板状基板上に、金属触媒を被覆した複数の円筒部を同心円状に形成し、 前記円板状基板の中心軸からラジアル方向に向けて、電場及び/又は磁場を印加しながら、CVD法によって、カーボンナノチューブを前記円筒部の外周面からラジアル方向に形成することを特徴とする熱伝導体の製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/683 ,  C01B 31/02 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/31
FI (4件):
H01L21/68 N ,  C01B31/02 101F ,  H01L21/02 Z ,  H01L21/31 F
Fターム (26件):
4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD05 ,  4G146AD20 ,  4G146AD36 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC08 ,  4G146BC16 ,  4G146BC18 ,  4G146BC25 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA37 ,  5F031MA30 ,  5F045AB02 ,  5F045AB06 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DP02 ,  5F045EK21 ,  5F045EM06

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