特許
J-GLOBAL ID:201103066406443153
銅薄膜製造方法および銅薄膜
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-210596
公開番号(公開出願番号):特開2011-060654
出願日: 2009年09月11日
公開日(公表日): 2011年03月24日
要約:
【課題】 金属の微粒子の分散体を用いて絶縁基板上に低体積抵抗率の導電層を得ることができる、金属薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 銅粒子表面のCu(I)とCu(II)の比が100対0〜30対70モル比の範囲にある銅粒子の分散体からなる塗膜に過熱水蒸気による加熱処理を施す工程を含む、銅薄膜の製造方法およびこの方法で製造された銅薄膜。前記塗膜は銅粒子分散体を絶縁性基板に塗布または印刷されたものであることが好ましい。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
銅粒子表面のCu(I)とCu(II)の比が100対0〜30対70モル比の範囲にある銅粒子の分散体からなる塗膜に過熱水蒸気による加熱処理を施す工程を含む、銅薄膜の製造方法。
IPC (8件):
H01B 13/00
, H01B 5/14
, H01L 21/28
, H01L 21/288
, H01L 21/320
, H01L 23/52
, H05K 1/09
, H05K 3/12
FI (7件):
H01B13/00 503Z
, H01B5/14 Z
, H01L21/28 301R
, H01L21/288 Z
, H01L21/88 M
, H05K1/09 A
, H05K3/12 610D
Fターム (30件):
4E351BB01
, 4E351BB31
, 4E351BB50
, 4E351CC22
, 4E351DD04
, 4E351DD52
, 4E351GG06
, 4M104BB04
, 4M104DD51
, 4M104DD79
, 4M104HH16
, 5E343BB24
, 5E343BB72
, 5E343BB80
, 5E343DD03
, 5E343DD12
, 5E343ER35
, 5E343GG13
, 5F033GG03
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033PP26
, 5F033QQ73
, 5F033QQ81
, 5F033WW04
, 5F033XX10
, 5G307GA06
, 5G307GB02
, 5G307GC02
, 5G323AA03
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