半導体記憶装置及びその出力データ更新方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-337460
公開番号（公開出願番号）：特開2002-150777
特許番号：特許第4312947号
出願日： 2000年11月06日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】メモリセルに第1のポートから第1のビット線を介して入力データを書き込み、メモリセルから第2のポートに第2のビット線を介して出力データを読み出す半導体記憶装置の出力データ更新方法であって、前記出力データはセンスアンプとラッチ回路を備えたデータ読み出し回路から出力され、前記第2のビット線の電位に基づいて前記出力データを読み出した前記メモリセルのデータの更新を検出し、前記ラッチ回路のデータを更新するようにした半導体記憶装置の出力データ更新方法。

IPC (3件)：