特許
J-GLOBAL ID：201103066955685665
半波又は全波高周波ダイオード整流回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 和田 充夫
, 稲葉 和久
, 東島 隆治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085086
公開番号（公開出願番号）：特開2000-324840
特許番号：特許第4566324号
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半波整流のための入力と出力(A)との間の1つの整流ダイオード(V)、又は全波整流のための入力と出力(A)との間の2つの整流ダイオード(Va,Vb)を有し、各整流ダイオード(V、又はVa,Vb)の電圧出力(A、又はAa,Ab)と入力電圧の測定基準点(M)との間に充電キャパシタ(Cr、又はCra,Crb)を有する半波、又は全波高周波整流回路であって、
当該整流回路への入力パワーに対する出力電圧の関係の線形化が2乗法則領域の範囲を越えて成り立つように、前記電圧出力(A,Aa,Ab)と前記入力電圧の前記測定基準点(M)との間に、整流ダイオード(V,Va,Vb)のゼロバイアス時のビデオ帯抵抗値(R0)と実質的に同じ相対温度係数および同じ温度レベルを持つ非線形負荷抵抗(Rp,Rpa,Rpb)が接続されている半波又は全波高周波ダイオード整流回路。
IPC (4件)：
G01R 21/14 ( 200 6.01)
, G01R 21/10 ( 200 6.01)
, H02M 7/06 ( 200 6.01)
, G01R 19/22 ( 200 6.01)
G01R 21/14
, G01R 21/10
, H02M 7/06 E
, G01R 19/22 Z
