半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-214321
公開番号（公開出願番号）：特開平3-077316
特許番号：特許第2946543号
出願日： 1989年08月21日
公開日（公表日）： 1991年04月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】TiN膜をSi基板上に有する半導体装置の製造方法において、TiN生成量以下のNを含有する第1のTi膜を形成し、次に、N2またはNH3を含有する不活性ガス雰囲気中でアニールを行い、前記第1のTi膜を等量のTiN膜に変換することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：