特許

J-GLOBAL ID：201103067042941469

半導体装置の製造方法

発明者： 西部 栄次 ,  菊地 修一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-372228
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176173
特許番号：特許第3831602号
出願日： 2000年12月07日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1導電型の半導体基板内に第2導電型不純物をイオン注入し拡散することで第2導電型ウエル領域を形成する第1の工程と、前記第2導電型ウエル領域の所定領域内に第1導電型不純物を注入し拡散することで第1導電型ボディー領域を形成する第2の工程と、前記基板上をフィールド酸化して絶縁膜を形成した後に当該絶縁膜上の所定領域に形成したレジスト膜をマスクにし当該絶縁膜をパターニングして第1のゲート絶縁膜を形成する第3の工程と、前記第1のゲート絶縁膜以外の基板上に第2のゲート絶縁膜を形成し、この第1,第2のゲート絶縁膜上に跨るようにゲート電極を形成する第4の工程と、前記第1導電型ボディー領域内に形成するソース形成領域上及び前記第2導電型ウエル領域内に形成するドレイン形成領域上に開口を有するレジスト膜をマスクにして第2導電型不純物を注入してソース・ドレイン領域を形成する第5の工程とを有し、各工程が第1の工程から第5の工程へと順次行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/423 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/60 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-162678
  
• 特開平4-162678
  
• 特開平4-000739
  
• 特開平4-000739