特許

J-GLOBAL ID：201103067070810582

半導体記憶装置及びその制御方法

発明者： 石崎 達也
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-196174
公開番号（公開出願番号）：特開2011-048876
出願日： 2009年08月27日
公開日（公表日）： 2011年03月10日
要約：

【課題】端子数を増加させることなく、同一アドレスに対して連続して実行される連続読み出し及び連続書き込みの動作を高速化する。【解決手段】この半導体記憶装置は、所定のアドレスによって指定されるメモリセルから所定の長さ分のデータの連続読み出し及び連続書き込みが実行される半導体記憶装置であって、複数のメモリセルと、アドレスが入力されるアドレス入力端子と、所定の長さ分の読み出しデータを出力するデータ出力端子と、所定の長さ分の書き込みデータが入力されるデータ入力端子と、を備えている。アドレス入力端子の一部は、データ出力端子と共有されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

所定のアドレスによって指定されるメモリセルから所定の長さ分のデータの連続読み出し及び連続書き込みが実行される半導体記憶装置であって、 複数のメモリセルと、 前記アドレスが入力されるアドレス入力端子と、 前記所定の長さ分の読み出しデータを出力するデータ出力端子と、 前記所定の長さ分の書き込みデータが入力されるデータ入力端子と、を備え、 前記アドレス入力端子の一部は、前記データ出力端子と共有される、半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/401 ,  G11C 11/407

FI (2件)：

G11C11/34 371K ,  G11C11/34 362T

Fターム (16件)：

5M024AA52 ,  5M024AA56 ,  5M024BB03 ,  5M024BB04 ,  5M024BB33 ,  5M024BB34 ,  5M024DD33 ,  5M024DD39 ,  5M024DD59 ,  5M024JJ03 ,  5M024JJ18 ,  5M024JJ20 ,  5M024JJ54 ,  5M024LL01 ,  5M024PP01 ,  5M024PP07