【請求項1】 一般式
(式中のR1は水素原子、水酸基、アミノ基、モノ又はジ(低級アルキル)アミノ基、カルバモイル基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルコキシ基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルコキシ基、カルバモイル低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル低級アルコキシ基、カルボキシ低級アルキル基またはカルボキシ低級アルコキシ基であり、R2は水素原子または低級アルキル基であり、R3は低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、ヒドロキシ低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキルチオ基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルコキシ基、低級アルコキシ低級アルキルチオ基、低級アルケニルオキシ基、アルアルキルオキシ基、ヒドロキシ低級アルケニル基、カルボキシ基、低級アルコキシカルボニル基、シアノ基、アルアルキルオキシ低級アルキル基、シアノ低級アルキル基、カルバモイル基、カルバモイル低級アルキル基、アミノ基、モノ又はジ(低級アルキル)アミノ基、低級アルコキシカルボニル低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル低級アルコキシ基、カルボキシ低級アルキル基またはカルボキシ低級アルコキシ基であり、但し、R1が水素原子またはヒドロキシ低級アルキル基であり、かつR2が水素原子のとき、R3は低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、ヒドロキシ低級アルキル基、ヒドロキシ低級アルコキシ基、ヒドロキシ低級アルキルチオ基、低級アルコキシ低級アルキル基、低級アルコキシ低級アルコキシ基または低級アルコキシ低級アルキルチオ基ではなく、R1が低級アルコキシ基であり、かつR2が水素原子のとき、R3は低級アルキル基ではない)で表されるグルコピラノシルオキシベンジルベンゼン誘導体またはその薬理学的に許容される塩。
C07H 15/203 ( 200 6.01)
, A61K 31/7034 ( 200 6.01)
, A61K 31/7036 ( 200 6.01)
, A61P 3/04 ( 200 6.01)
, A61P 3/10 ( 200 6.01)
, A61P 43/00 ( 200 6.01)
, C07C 43/178 ( 200 6.01)
, C07C 43/23 ( 200 6.01)
, C07C 69/78 ( 200 6.01)
, C07C 69/94 ( 200 6.01)
, C07C 215/74 ( 200 6.01)
, C07C 215/76 ( 200 6.01)
, C07C 235/42 ( 200 6.01)
, C07C 235/46 ( 200 6.01)
, C07C 255/36 ( 200 6.01)
, C07C 271/28 ( 200 6.01)