特許

J-GLOBAL ID：201103067282195489

酸化物薄膜の製造方法

発明者： 喜多 隆介 ,  吉田 功 ,  手嶋 英一 ,  鈴木 克己 ,  森下 忠隆
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  シャープ株式会社 ,  三洋電機株式会社 ,  新日本製鐵株式会社 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-273377
公開番号（公開出願番号）：特開平3-138353
特許番号：特許第2605148号
出願日： 1989年10月20日
公開日（公表日）： 1991年06月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】酸化物を構成する元素のうち、酸素を除く各元素を各々真空中で蒸発させると同時に、二酸化炭素(CO2)ガスを熱電子によりプラズマ分解した中からO+イオン(酸素プラスイオン)を質量分離により取り出して集束し、電界にてエネルギー制御した後基体に照射し、酸化物薄膜中の酸素量を酸素イオンビームのイオン電流量によって制御することにより基体上に酸化物薄膜を形成することを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 14/08 ZAA ,  C01B 13/14 ,  C04B 41/87 ,  C23C 14/02 ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24

FI (6件)：

C23C 14/08 ZAA L ,  C01B 13/14 Z ,  C04B 41/87 F ,  C23C 14/02 Z ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-107892
  
• 特開昭57-113548