特許

J-GLOBAL ID：201103067495789285

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 田中 昭典 ,  佐藤 明博
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-209652
公開番号（公開出願番号）：特開2011-061037
出願日： 2009年09月10日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：

【課題】プラズマ発生部で生成された活性種が、ウェハ上に十分供給されやすく、成膜速度を向上させることでき、また、ウェハの面内、面間における膜厚均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】一端が閉塞し、他端が開口した筒状のアウターチューブと、前記アウターチューブ内に設けられるインナーチューブであって、一端が閉塞し、他端が開口した筒状に形成され、内部で基板を処理可能とするインナーチューブと、該インナーチューブの前記開口した他端を閉塞する閉塞部とを備えた基板処理装置において、前記アウターチューブの側壁と前記インナーチューブの側壁との間の空間に、石英パイプ10で被覆されたアンテナ23を設置したプラズマ生成部を設け、前記プラズマ生成部で生成された反応活性種を、前記インナーチューブの側壁に設けられた活性種供給口から、前記インナーチューブ内へ供給する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

一端が閉塞し、他端が開口した筒状のアウターチューブと、 前記アウターチューブ内に設けられるインナーチューブであって、一端が閉塞し、他端が開口した筒状に形成され、内部で基板を処理可能とするインナーチューブと、 該インナーチューブの前記開口端に当接して閉塞する閉塞部と、 前記アウターチューブの側壁と、前記インナーチューブの側壁との間の空間に設けられ、反応活性種を生成するプラズマ生成部と、 前記インナーチューブの側壁に設けられ、前記プラズマ生成部で生成された反応活性種を前記インナーチューブ内へ供給する活性種供給口とを備えた基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50

FI (2件)：

H01L21/31 C ,  C23C16/50

Fターム (38件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030KA05 ,  4K030KA09 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AB40 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC18 ,  5F045AE01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11 ,  5F045EJ04 ,  5F045EK06