特許
J-GLOBAL ID：201103067658981960
電荷転送素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-165929
公開番号（公開出願番号）：特開平3-030439
特許番号：特許第2507066号
出願日： 1989年06月28日
公開日（公表日）： 1991年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】2層以上の転送ゲート電極構造を有し、第1層の前記転送ゲート電極構造のゲート絶縁膜をシリコン酸化膜となし、第2層以上の前記転送ゲート電極構造のゲート絶縁膜をシリコン酸化膜,シリコン窒化膜および前記シリコン窒化膜を熱酸化して形成したシリコン酸化膜からなる3層構造となし、かつ、前記3層構造絶縁膜は前記転送ゲート電極下にのみ配設されたことを特徴とする電荷転送素子。
IPC (2件)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
