特許

J-GLOBAL ID：201103067871908193

シリコン系電極を作製する方法、シリコン系電極、およびそのような電極を備えたリチウム電池

発明者： グラクシク マグダレナ ,  アリアス メラニー ,  マイエ ソフィー ,  マルティネ セバスチャン
出願人/特許権者： コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフ
代理人 (1件)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-548138
公開番号（公開出願番号）：特表2011-513906
出願日： 2009年02月11日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：

本発明は、シリコン系電極を製造する方法、およびシリコン系電極に関する。本発明は、そのような電極を備えたリチウム電池にも関する。本発明の方法は、少なくとも1種のイオン液体と、式中xがCl、BrまたはIであり、nが1または2に等しい式SinX2n+2のシリコン前駆体とを含む溶液におけるサイクリックボルタンメトリーにより、基板上にシリコンを電気化学的に析出させるステップを含むタイプのシリコン系電極を作製することにある。本発明の電極は、リチウム電池分野において特に適用可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にシリコンを電気化学的に析出させるステップを含むタイプのシリコン系電極を製造する方法であって、前記電気化学析出ステップが、少なくとも1種のイオン液体と、式中XがCl、BrまたはIであり、nが1または2に等しい式SinX2n+2のシリコン前駆体とを含む溶液における、サイクリックボルタンメトリーによる電気化学析出ステップであることを特徴とする方法。

IPC (4件)：

H01M 4/139 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/134 ,  H01M 4/66

FI (4件)：

H01M4/02 112 ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/02 105 ,  H01M4/66 A

Fターム (20件)：

5H017AA03 ,  5H017AS01 ,  5H017CC01 ,  5H017EE01 ,  5H017EE04 ,  5H017EE06 ,  5H050AA07 ,  5H050AA19 ,  5H050BA16 ,  5H050CA17 ,  5H050CB11 ,  5H050DA04 ,  5H050DA06 ,  5H050DA07 ,  5H050FA02 ,  5H050FA17 ,  5H050FA18 ,  5H050GA24 ,  5H050HA05 ,  5H050HA18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 非水溶媒メッキ法によるリチウムイオン二次電池負極用箔帯の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-347079   出願人：阿部賢

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Electrodeposition of nanoscale silicon in a room temperature ionic liquid