特許
J-GLOBAL ID：201103067910877195
光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置用リードフレームの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
原田 洋平
, 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-089081
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222680
出願日： 2010年04月08日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：
【課題】密着性を確保すると共に、発光効率を確保することを目的とする。【解決手段】金属材料2上にニッケルまたはニッケル合金めっき皮膜3およびアンチモンを含有する銀合金めっき皮膜4aを積層し、その上の少なくともリフレクタ5の形成領域に低シアン銀めっき液を用いて銀めっき皮膜4bを形成することにより、密着性を確保すると共に、発光効率を確保することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光半導体素子の搭載領域を備えるリードフレームと、
前記搭載領域を開口して前記リードフレームに形成されるリフレクタと
を有し、前記リードフレームが、
金属材料と、
前記金属材料上にめっきされる第1の皮膜と、
前記第1の皮膜上にめっきされて0より多く0.1質量%以下のアンチモンを含有する銀または銀を主成分とする合金からなる第2の皮膜と、
前記第2の皮膜の少なくとも前記リフレクタの形成領域上にシアン化物イオン濃度が銀イオン濃度より低い低シアン銀めっき液を用いて表面凹凸が前記第2の皮膜より荒い第3の皮膜と
からなることを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L23/48 Y
, H01L23/48 K
, H01L33/00 440
5F041AA31
, 5F041AA44
, 5F041DA17
, 5F041DA22
, 5F041DA29
, 5F041EE23
