特許
J-GLOBAL ID：201103067980667996
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 坪井 淳
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086385
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274675
特許番号：特許第3699878号
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 互いにレベルが異なる第1及び第2の電源を有する半導体集積回路において、 論理回路部からの第1の論理出力とその反転信号である第2の論理出力にそれぞれの一端が接続され、それぞれのゲートが前記第2の電源に接続されたnチャネル型の第1及び第2のFETと、 前記第2の電源よりも高レベルの前記第1の電源にそれぞれのソースが接続され、それぞれのドレインが相手のゲートに接続されたpチャネル型の第3及び第4のFETと を有し、 前記nチャネル型の第1及び第2のFETそれぞれの他端を前記pチャネル型の第3及び第4のFETそれぞれのドレインに接続し、前記pチャネル型の第3または第4のFETのドレインの信号を出力信号として出力することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件)：
H03K 19/0185
, G11C 11/409
, H01L 21/822
, H01L 27/04
H03K 19/00 101 C
, G11C 11/34 354 P
, H01L 27/04 B
