特許
J-GLOBAL ID:201103068034773189
不揮発性メモリ
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-256414
公開番号(公開出願番号):特開2011-135055
出願日: 2010年11月17日
公開日(公表日): 2011年07月07日
要約:
【課題】酸化物半導体層を含むトランジスタを有する不揮発性メモリにおいて、保持された情報を容易に消去できる不揮発性メモリを提供する。【解決手段】不揮発性メモリは、第1のトランジスタ20及び第2のトランジスタ21を有するメモリセルを有し、第1のトランジスタ20は第1のチャネル、第1のゲート電極、第1のソース電極及び第1のドレイン電極を有し、第2のトランジスタ21は酸化物半導体からなる第2のチャネル、第2のゲート電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極を有し、第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方は第1のゲート電極と電気的に接続され、メモリセルへの情報の書き込み及び消去は、第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方と、第1のゲート電極との間のノードの電位を高くすることにより情報が書き込まれ、第2のチャネルに紫外線を照射して、ノードの電位を低くすることにより情報が消去される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有するメモリセルを有し、
前記第1のトランジスタは、第1のチャネル、第1のゲート電極、第1のソース電極及び第1のドレイン電極を有し、
前記第2のトランジスタは、第2のチャネル、第2のゲート電極、第2のソース電極及び第2のドレイン電極を有し、
前記第2のチャネルは酸化物半導体からなり、
前記第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方は前記第1のゲート電極と電気的に接続され、
前記メモリセルへの情報の書き込み及び消去は、
前記第2のソース電極及び第2のドレイン電極の一方と、前記第1のゲート電極との間のノードの電位を高くする、又は前記ノードに電荷を蓄積することにより情報が書き込まれ、
前記第2のチャネルに紫外線を照射して、前記ノードの電位を低くする、又は前記ノードから前記電荷を放出することにより前記情報が消去されることを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (8件):
H01L 21/824
, H01L 27/108
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 29/786
, G11C 11/405
, G11C 16/02
FI (11件):
H01L27/10 321
, H01L27/10 434
, H01L29/78 371
, H01L27/10 621Z
, H01L27/10 651
, H01L27/10 671Z
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 613B
, H01L29/78 613Z
, G11C11/34 352B
, G11C17/00 601S
Fターム (186件):
5B125BA08
, 5B125BA09
, 5B125CA07
, 5B125FA05
, 5B125FA07
, 5B125FA10
, 5F083AD01
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, 5M024PP03
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, 5M024PP09
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