特許
J-GLOBAL ID：201103068104912807
減圧化状態を利用した半導体ウェハーのエッチング処理方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
白川 一一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373088
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189299
特許番号：特許第3548976号
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】通気隙間を有する内側タンク内のローター上の所定位置に処理すべき半導体ウェハーを設置し、該内側タンクを収容する密閉可能な外側タンクを減圧化状態とすることで内外タンク間に気圧差状態に基づく空気流を形成し、該空気流を維持したままで各種エッチング薬液を内側タンク内の半導体ウェハー表面に噴霧または塗布してエッチング反応を進行せしめ、さらにローターに必要最小限の回転を付与することで各種エッチング薬液を半導体ウェハー表面から排除することを特徴とする、減圧化状態を利用した半導体ウェハーのエッチング処理方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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