特許

J-GLOBAL ID：201103068124648138

高周波半導体装置

発明者： 前谷 麿明
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-024762
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210752
特許番号：特許第4206185号
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】誘電体基板の上面に複数の高周波半導体回路素子の電極が電気的に接続される電極配線が形成された複数の搭載部を設け、該各搭載部に高周波半導体回路素子を搭載してその電極を前記電極配線に電気的に接続し、前記誘電体基板上に、下面に前記搭載部に対応する複数の凹部を設けるとともに該凹部間に接続配線が形成された誘電体蓋体を取着して、前記搭載部毎に前記凹部内に前記高周波半導体回路素子を収容するとともに前記搭載部間の前記電極配線同士を前記接続配線で電気的に接続したことを特徴とする高周波半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ( 200 6.01) ,  H01L 23/02 ( 200 6.01) ,  H01L 25/04 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 23/12 301 Z ,  H01L 23/02 H ,  H01L 25/04 Z