特許

J-GLOBAL ID：201103068229717992

半導体集積回路装置

発明者： 幅崎 唯之
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 徳丸 達雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-152181
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353320
特許番号：特許第3834212号
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】低不純物濃度の一導電型の基板領域と、前記基板領域の主面に設けられた第1及び第2の回路領域と、前記第1の回路領域と第2の回路領域との間に設けられた分離領域とを具備した半導体集積回路装置において、前記分離領域は、前記第1の回路領域に接した前記基板領域よりも高不純物濃度の一導電型の第1の不純物領域と、前記第2の回路領域に接した前記基板領域よりも高不純物濃度の一導電型の第2の不純物領域と、前記第1と第2の不純物領域から離間して間に前記基板領域の部分を有して形成され、直接バイアスされずに電気的にフローティング状態とされている逆導電型の拡散層とを有して構成されたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 21/761 ( 200 6.01) ,  H01L 21/76 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 27/08 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 F ,  H01L 21/76 J ,  H01L 21/76 S ,  H01L 27/06 311 B ,  H01L 27/08 331 C