特許
J-GLOBAL ID：201103068318614455
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-233539
公開番号（公開出願番号）：特開平3-097193
特許番号：特許第2744296号
出願日： 1989年09月08日
公開日（公表日）： 1991年04月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】多層配線層の何れか一層を用いてコラム選択線を配線し、また、他の層を用いて上記コラム選択層と直交するセンスアンプ駆動信号線を配線する半導体記憶装置において、前記コラム選択線を配線した層に、該コラム選択線と平行する横方向配線を配線するとともに、前記センスアンプ駆動信号線の複数箇所と該横方向配線とをコンタクトホールで接続し、且つ、前記横方向配線下の選択ゲートと前記コラム選択線とを迂回配線を介して接続したことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 11/409
, G11C 11/401
, G11C 11/41
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
G11C 11/34 353 E
, G11C 11/34 371 K
, G11C 11/34 345
, H01L 27/10 681 C
