相互誘導回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小笠原史朗 , 桑原薫 , 高田猛二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-199705
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035409
出願日： 2010年09月07日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：

【課題】専有面積の小さいトランス素子を提供すること。【解決手段】トランス素子1は、半導体基板上において上下方向に平行な第1及び第2の配線層を使って形成され、第1のインダクタンス2及び第2のインダクタンス3を備える。第1及び第2のインダクタンス2及び3は、鉛直上方向及び鉛直下方向の一方から第1の配線層及び第2の配線層の一方に投影した時に、投影された外形線が予め定められた基準面を基準として対称な形状を有し、かつ投影された外形線が第1の配線層及び第2の配線層の一方上で交差し合う部分については、第1の配線層及び第2の配線層を使って交差しないよう構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

上下方向に平行な第1及び第2の配線層を使って形成される相互誘導回路であって、前記第1の配線層に形成された第1のインダクタンスと、前記第1のインダクタンスで発生した磁束が鎖交する位置であって前記第1の配線層に形成される第2のインダクタンスと、前記第1のインダクタンスを鉛直上方から前記第2の配線層に投影したものと実質的に同じ形状を有している、前記第2の配線層に形成される第3のインダクタンスと、前記第2のインダクタンスを鉛直上方から前記第2の配線層に投影したものと実質的に同じ形状を有している、前記第2の配線層に形成される第4のインダクタンスとを備え、前記第1及び前記第2及び前記第3及び前記第4のインダクタンスは、鉛直上方向及び鉛直下方向の一方から前記第1の配線層及び前記第2の配線層の一方に投影した時に、投影された外形線が予め定められた第1の基準面を基準として対称な形状を有し、かつ前記第1及び第2のインダクタンスとの間、または前記第3及び第4のインダクタンスとの間において、前記投影された外形線が前記第1の配線層及び前記第2の配線層の一方上で交差し合う部分については、前記第1の配線層及び前記第2の配線層を使って交差しないように構成される、相互誘導回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01F 17/00

FI (2件)：

H01L27/04 L , H01F17/00 B

Fターム (14件)：

5E070AA11 , 5E070AA16 , 5E070AB10 , 5E070CB13 , 5E070CB17 , 5E070CB20 , 5F038AZ01 , 5F038AZ03 , 5F038AZ04 , 5F038BG02 , 5F038BH10 , 5F038CD02 , 5F038CD13 , 5F038EZ20

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