特許
J-GLOBAL ID：201103068600466523
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-251897
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069044
特許番号：特許第4306162号
出願日： 2001年08月22日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1導電型の第1の半導体層(11)と第2導電型の第2の半導体層(12)とが積層されてなる半導体基板(10)と、
前記半導体基板における前記第1の半導体層の一部を電気化学エッチングにより除去することにより形成された凹部(13)と、
前記凹部に対応した部位にて前記第2の半導体層より形成された薄肉部(14)と、
前記第2の半導体層のうち前記薄肉部以外の部位に形成された集積回路部(16)と、
前記第2の半導体層の表面から前記第1の半導体層に達するように形成された第1導電型の不純物拡散層(27)と、
前記第2の半導体層の表面に形成され前記凹部の電気化学エッチングに用いるエッチング用配線(28)とを備える半導体装置において、
前記エッチング用配線は、一端部(28a)が前記半導体基板の内周にて前記第2の半導体層に電気的に接続され、他端部(28b)が前記半導体基板の端部周辺にまで延長されているものであり、
前記エッチング用配線はその一端部と他端部との間で前記不純物拡散層を跨がないように配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/84 ( 200 6.01)
, G01L 9/04 ( 200 6.01)
