特許

J-GLOBAL ID：201103068666826849

半導体基板表面処理方法

発明者： カーリド, ラドゥアン
出願人/特許権者： エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ
代理人 (4件)： 山田 行一 ,  池田 成人 ,  山口 和弘 ,  野田 雅一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-546411
公開番号（公開出願番号）：特表2011-512040
出願日： 2009年01月23日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：

本発明は、半導体基板の表面を処理するための方法に関し、この方法は、半導体基板の表面を酸化させ、それにより、自然酸化物を人工酸化物に変換するステップと、この人工酸化物を除去し、特に、酸化物のない基板表面を得るステップとを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を処理するための方法であって、 a)前記半導体基板(1)の前記表面を酸化させ、それにより、自然酸化物(5)を人工酸化物(7)に変換するステップと、 b)前記人工酸化物(7)を除去し、特に、還元性気体プラズマおよび不活性ガスプラズマを備えた還元性プラズマによって、酸化物のない基板表面(11)を得るステップと、 c)特に、接合することによって、前記半導体基板(21)を、前記半導体基板(21)の前記酸化物のない基板表面(25)側を用いて、第2の半導体基板(23)に貼り合わせるステップと、 を備えた方法。

IPC (1件)：

H01L 21/02

FI (1件)：

H01L21/02 B

Fターム (9件)：

5F004AA14 ,  5F004DB03 ,  5F004EA34 ,  5F004FA08 ,  5F043AA02 ,  5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10