特許

J-GLOBAL ID：201103068783454871

半導体メモリ装置及びその製造方法

発明者： 竹川 陽一 ,  稲葉 聡 ,  須之内 一正 ,  大澤 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-147921
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343885
特許番号：特許第4104836号
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 1ビットのメモリセルが、フローティングのチャネルボディを持つ一つのMISFETにより構成され、前記MISFETはチャネルボディを第1の電位に設定した第1データ状態と第2の電位に設定した第2データ状態とをダイナミックに記憶するものであって、 前記MISFETは、チャネルボディとなる第1導電型の第1の半導体層と、 この第1の半導体層の底面に接してビルトインポテンシャルにより空乏化する第2導電型の第2の半導体層と、 この第2の半導体層の底面に接する第1導電型の第3の半導体層と、 前記第1の半導体層の上面にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記第1の半導体層の上面から第2の半導体層に達する深さに形成されたソース及びドレイン拡散層と、 前記ゲート電極直下の半導体層内に絶縁膜で囲まれた状態で埋め込まれ、上端が前記絶縁膜を介して前記第1の半導体層に対向する補助ゲート電極と を有することを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (2件)：

H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 27/10 321

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ボディ・コンタクト式ダイナミック・メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-131777   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 半導体記憶装置及びその動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-020089   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置および半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-204052   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-138610   出願人：日本電気株式会社