半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-079139
公開番号（公開出願番号）：特開平2-257632
特許番号：特許第2653511号
出願日： 1989年03月30日
公開日（公表日）： 1990年10月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】レジストを利用したエッチング処理が施された半導体基板を支持台上に配置し、この半導体基板に酸系あるいは塩基性処理液を含む薬液を超音波加圧された後の純水に混合して超音波洗浄を施すことを特徴とする半導体装置の洗浄方法。

IPC (1件)：