真空成膜方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八木田茂 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-023427
公開番号（公開出願番号）：特開平2-205678
特許番号：特許第2660040号
出願日： 1989年02月01日
公開日（公表日）： 1990年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】スパッタリング法、CVD法、真空蒸着法等の真空薄膜形成法により、凹状部を有する基板上に金属薄膜を形成する工程と、基板上に形成された金属薄膜全体を加熱して流動化させる工程と、流動化した金属薄膜の金属を気体で加圧して、凹状部内に金属薄膜の金属を凹状部内で空洞の発生しないように埋め込む工程とを含むことを特徴とする真空成膜方法。

IPC (1件)：