特許
J-GLOBAL ID：201103069134622907
光電気セル
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
鈴木 俊一郎
, 牧村 浩次
, 高畑 ちより
, 鈴木 亨
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369018
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168496
特許番号：特許第4298195号
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した半導体膜(2)が形成されてなる基板と、表面に電極層(3)を有する基板とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置してなり、半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質層を設けてなる光電気セルにおいて、
半導体膜(2)が、基板上に形成された平均細孔径が2〜30nmの範囲にある多孔質半導体膜(2-A)とさらにその上に形成された平均細孔径が30〜400nmの範囲にある多孔質半導体膜(2-B)とからなり、少なくとも一方の基板および該基板上の電極層が透明性を有し、
前記半導体膜(2-A)が光増感材として紫外/短波長可視光吸収錯体(A)を含有し、前記半導体膜(2-B)が光増感材として長波長可視光/赤外線吸収錯体(B)を含有していることを特徴とする光電気セル。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ( 200 6.01)
, H01L 31/04 ( 200 6.01)
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
