特許
J-GLOBAL ID：201103069233270311
非水系ゲル2次電池とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
, 松隈 秀盛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221385
公開番号（公開出願番号）：特開2001-052745
特許番号：特許第4507300号
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 正極集電体に正極活物質層が被着された正極と、負極集電体に負極活物質層が被着された負極とを有し、上記正極と負極とが、ゲル層が塗布された上記正極活物質層と負極活物質層の塗布面同士を重ね合わせられて成り、上記正極活物質層と負極活物質層との間に介在するゲル層の厚さが40μmであるとともに、上記正極および負極の、端子リードの導出部を除く縁部を覆って上記ゲル層が形成されて成り、上記正極および上記負極の縁部を覆うゲル層の厚さが、0.1mm以上10mm未満に選定されて成ることを特徴とする非水系ゲル2次電池。
IPC (3件)：
H01M 10/0565 ( 201 0.01)
, H01M 10/058 ( 201 0.01)
, H01M 2/02 ( 200 6.01)
H01M 10/00 110
, H01M 10/00 115
, H01M 2/02 K
