特許
J-GLOBAL ID：201103069256240037
半導体レーザー装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
, 長谷部 政男
, 田名網 孝昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-215116
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031904
特許番号：特許第4656362号
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ゲインガイド構造を有する第1の半導体レーザーとインデックスガイド構造を有する第2の半導体レーザーとを共通の半導体基板上に並設した半導体レーザー装置を製造する方法であって、
前記半導体基板上に、前記第1の半導体レーザーを構成する、活性層をクラッド層により挟んだ第1の積層構造体をアイランド状に形成し、
前記半導体基板の表面全体に、前記第2の半導体レーザーを構成するための第1のクラッド層、活性層、ならびに第2のクラッド層を順次、積層して第2の積層構造体を形成し、
前記第1の積層構造体上で、少なくとも前記第1のクラッド層の下側部分を含む前記第2の積層構造体の部分層を残して、前記第2の積層構造体の上側部分を除去し、
前記半導体基板の表面全体に、酸化膜を形成し、
単一の露光マスクを用いたフォトリソグラフィーにより、前記第1の積層構造体上の前記第2の積層構造体の前記部分層の上、および前記半導体基板上の前記第2の半導体レーザー形成箇所に形成した前記第2の積層構造体の上においてそれぞれ前記酸化膜をストライプ状にパターン化し、
前記第2の半導体レーザー形成箇所の前記第2のクラッド層表面を、前記酸化膜をマスクとしてエッチングし、
前記半導体基板の表面全体に、前記第2の半導体レーザーを構成する電流ブロック層の材料をMOCVD法により堆積させ、
前記第1の積層構造体上から前記電流ブロック層の材料および前記第2の積層構造体の前記部分層を、前記酸化膜をマスクとして除去し、
前記第1の積層構造体の表面部に、前記酸化膜および前記酸化膜下の前記第2の積層構造体の前記部分層をマスクとしてイオン注入を行い絶縁層を形成することを特徴とする半導体レーザー装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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