特許
J-GLOBAL ID：201103069326755129

光電子放射源装置の効率を改善させる方法および装置

発明者：
ガルブゾブ,ドミトリ,ザルマノビック

ガルブゾブ,ドミトリ,ザルマノビック について

, 
メナ,レイモンド,ジェー.

メナ,レイモンド,ジェー. について


出願人/特許権者：
トルンプ フォトニクス,インコーポレイテッド

トルンプ フォトニクス,インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-574188
特許番号：特許第4278985号
出願日： 2001年03月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 接合部をpタイプ組成材料とnタイプ組成材料との間に形成して、様々な組成を有する隣接して接続された複数の半導体材料からなる光電子装置の効率を改善させる方法であって、 活性領域、前記活性領域に隣接する内部閉じ込め層、及び、前記内部閉じ込め層に隣接しかつ前記内部閉じ込め層とは異なる外部閉じ込め層を有する、nタイプ導波路領域を形成するステップと、 前記p/n接合部と合致する遮断層を組み付けるステップであって、前記遮断層が、電子がnタイプ材料と言われる前記活性領域からpタイプ材料に横断するのを防止するために、伝導帯に障壁を生成するような組成の材料から形成されるステップと、 隣接して接続された材料より低いドーピング・レベルを有するとともにクラッド層の一部である低ドープ材料を前記遮断層に隣接して組み付けるステップとを含み、 前記低ドープ材料および前記遮断層が、前記活性領域を有する前記導波路領域の外側にあり、かつ、前記遮断層が、前記外部閉じ込め層と、前記クラッド層の前記低ドープ材料との間にある、方法。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ( 200 6.01) ,  H01L 33/00 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-254618   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-195627   出願人：三井石油化学工業株式会社
  • 高温非冷却ダイオードレーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-271860   出願人：ベルコミュニケーションズリサーチインコーポレーテッド
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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